TSG12N06AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSG12N06AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для TSG12N06AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSG12N06AT даташит

 ..1. Size:481K  cn wuxi unigroup
 tsg12n06at.pdf pdf_icon

TSG12N06AT

TSG12N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 60V N-Channel DTMOS Product Summary Features Trench Power DTMOS Technology VDS 60V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:456K  cn wuxi unigroup
 tsg12n10at.pdf pdf_icon

TSG12N06AT

TSG12N10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device P

 9.1. Size:692K  cn wuxi unigroup
 tsd120n10at tsp120n10at tsg120n10at.pdf pdf_icon

TSG12N06AT

TSD120N10AT,TSP120N10AT,TSG120N10AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V N-Channel SGT MOSFET General Description Product Summary VDS 100V l Trench Power SGT technology ID (at VGS =10V) 55A l Very low on-resistance RDS(ON) RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие IGBT... TSB15N10A, TSD10N06AT, TSD120N10AT, TSP120N10AT, TSG120N10AT, TSD12N06AT, TSG017N045AT, TSG10N06AT, IRLZ44N, TSG12N10AT, TSJ10N06AT, TSJ10N10AT, TSP15N06A, TSP15N10A, TTB105N06A, TTP105N06A, TTB105N08A