TSP15N06A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSP15N06A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 667 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de TSP15N06A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TSP15N06A datasheet

 ..1. Size:442K  cn wuxi unigroup
 tsp15n06a.pdf pdf_icon

TSP15N06A

TSP15N06A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pac

 8.1. Size:496K  cn wuxi unigroup
 tsp15n10a.pdf pdf_icon

TSP15N06A

TSP15N10A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 100V N-Channel DTMOS General Description Product Summary Trench Power SGT technology VDS 100V Very low on-resistance RDS(ON) ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TSG120N10AT, TSD12N06AT, TSG017N045AT, TSG10N06AT, TSG12N06AT, TSG12N10AT, TSJ10N06AT, TSJ10N10AT, AO3400, TSP15N10A, TTB105N06A, TTP105N06A, TTB105N08A, TTP105N08A, TTB115N08A, TTP115N08A, TTB115N08AA