TSP15N06A Todos los transistores

 

TSP15N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSP15N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 667 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de TSP15N06A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TSP15N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  cn wuxi unigroup
 tsp15n06a.pdf pdf_icon

TSP15N06A

TSP15N06A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pac

 8.1. Size:496K  cn wuxi unigroup
 tsp15n10a.pdf pdf_icon

TSP15N06A

TSP15N10A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 100V N-Channel DTMOS General Description Product Summary Trench Power SGT technology VDS 100V Very low on-resistance RDS(ON) ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TSG120N10AT , TSD12N06AT , TSG017N045AT , TSG10N06AT , TSG12N06AT , TSG12N10AT , TSJ10N06AT , TSJ10N10AT , IRF3710 , TSP15N10A , TTB105N06A , TTP105N06A , TTB105N08A , TTP105N08A , TTB115N08A , TTP115N08A , TTB115N08AA .

History: HGN035N10AL | STD7N80K5

 

 
Back to Top

 


 
.