TSP15N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSP15N06A
Código: 15N06A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 138 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 667 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSP15N06A
TSP15N06A Datasheet (PDF)
tsp15n06a.pdf
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tsp15n10a.pdf
TSP15N10A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 100V N-Channel DTMOS General Description Product Summary Trench Power SGT technology VDS 100V Very low on-resistance RDS(ON) ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product RDS(ON) (at VGS=10V)
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Liste
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