TSP15N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSP15N06A
Código: 15N06A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 208 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 138 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 667 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSP15N06A
TSP15N06A Datasheet (PDF)
tsp15n06a.pdf
TSP15N06A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pac
tsp15n10a.pdf
TSP15N10A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 100V N-Channel DTMOS General Description Product Summary Trench Power SGT technology VDS 100V Very low on-resistance RDS(ON) ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product RDS(ON) (at VGS=10V)
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