TSP15N06A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSP15N06A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 667 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TSP15N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP15N06A даташит

 ..1. Size:442K  cn wuxi unigroup
 tsp15n06a.pdf pdf_icon

TSP15N06A

TSP15N06A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pac

 8.1. Size:496K  cn wuxi unigroup
 tsp15n10a.pdf pdf_icon

TSP15N06A

TSP15N10A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 100V N-Channel DTMOS General Description Product Summary Trench Power SGT technology VDS 100V Very low on-resistance RDS(ON) ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... TSG120N10AT, TSD12N06AT, TSG017N045AT, TSG10N06AT, TSG12N06AT, TSG12N10AT, TSJ10N06AT, TSJ10N10AT, AO3400, TSP15N10A, TTB105N06A, TTP105N06A, TTB105N08A, TTP105N08A, TTB115N08A, TTP115N08A, TTB115N08AA