Справочник MOSFET. TSP15N06A

 

TSP15N06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSP15N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 667 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TSP15N06A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP15N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  cn wuxi unigroup
 tsp15n06a.pdf pdf_icon

TSP15N06A

TSP15N06A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pac

 8.1. Size:496K  cn wuxi unigroup
 tsp15n10a.pdf pdf_icon

TSP15N06A

TSP15N10A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 100V N-Channel DTMOS General Description Product Summary Trench Power SGT technology VDS 100V Very low on-resistance RDS(ON) ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... TSG120N10AT , TSD12N06AT , TSG017N045AT , TSG10N06AT , TSG12N06AT , TSG12N10AT , TSJ10N06AT , TSJ10N10AT , IRF3710 , TSP15N10A , TTB105N06A , TTP105N06A , TTB105N08A , TTP105N08A , TTB115N08A , TTP115N08A , TTB115N08AA .

History: RV2C002UN

 

 
Back to Top

 


 
.