TTB105N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TTB105N06A
   Código: 105N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 187.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 105 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 82 nC
   Tiempo de subida (tr): 18 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 298 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TTB105N06A

TTB105N06A Datasheet (PDF)

..1. Size:653K cn wuxi unigroup
ttb105n06a ttp105n06a.pdf

TTB105N06A,TTP105N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

6.1. Size:750K cn wuxi unigroup
ttb105n08a ttp105n08a.pdf

TTB105N08A,TTP105N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

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TTB1020BBipolar Transistors Silicon PNP Triple-Diffused TypeTTB1020BTTB1020BTTB1020BTTB1020B1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Current Switching Hammer Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = -3 V , IC = -3 A)(2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) =

9.2. Size:639K toshiba
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