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TTB105N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTB105N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 298 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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TTB105N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:653K  cn wuxi unigroup
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TTB105N06A

TTB105N06A,TTP105N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 6.1. Size:750K  cn wuxi unigroup
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TTB105N06A

TTB105N08A,TTP105N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:178K  toshiba
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TTB105N06A

TTB1020BBipolar Transistors Silicon PNP Triple-Diffused TypeTTB1020BTTB1020BTTB1020BTTB1020B1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Current Switching Hammer Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = -3 V , IC = -3 A)(2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) =

 9.2. Size:639K  toshiba
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TTB105N06A

TTB1067B PNP ()TTB1067BTTB1067BTTB1067BTTB1067B1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1)

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History: HGN035N10AL | STD7N80K5

 

 
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