TTB105N06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TTB105N06A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 298 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для TTB105N06A
TTB105N06A Datasheet (PDF)
ttb105n06a ttp105n06a.pdf

TTB105N06A,TTP105N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
ttb105n08a ttp105n08a.pdf

TTB105N08A,TTP105N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)
ttb1020b.pdf

TTB1020BBipolar Transistors Silicon PNP Triple-Diffused TypeTTB1020BTTB1020BTTB1020BTTB1020B1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Current Switching Hammer Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = -3 V , IC = -3 A)(2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) =
ttb1067b.pdf

TTB1067B PNP ()TTB1067BTTB1067BTTB1067BTTB1067B1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1)
Другие MOSFET... TSG017N045AT , TSG10N06AT , TSG12N06AT , TSG12N10AT , TSJ10N06AT , TSJ10N10AT , TSP15N06A , TSP15N10A , P55NF06 , TTP105N06A , TTB105N08A , TTP105N08A , TTB115N08A , TTP115N08A , TTB115N08AA , TTP115N08AA , TTB118N08A .
History: PG2910BD | RT3K44M | P6006HV | TSM4415CS | AOD360A70 | H02N60SI | LNH03R031
History: PG2910BD | RT3K44M | P6006HV | TSM4415CS | AOD360A70 | H02N60SI | LNH03R031



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015