TTP105N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TTP105N06A
Código: 105N06A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 187.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 105 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 82 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 298 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TTP105N06A
TTP105N06A Datasheet (PDF)
ttb105n06a ttp105n06a.pdf
TTB105N06A,TTP105N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
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TTB105N08A,TTP105N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)
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TTD100N04AT, TTP100N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and
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TTP100N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 40V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
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