TTP105N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TTP105N06A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 298 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
TTP105N06A Datasheet (PDF)
ttb105n06a ttp105n06a.pdf

TTB105N06A,TTP105N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
ttb105n08a ttp105n08a.pdf

TTB105N08A,TTP105N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)
ttd100n04at ttp100n04at.pdf

TTD100N04AT, TTP100N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and
ttp100n04at.pdf

TTP100N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 40V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: NCE0250D | WSF20P03 | IPI80CN10NG
History: NCE0250D | WSF20P03 | IPI80CN10NG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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