Справочник MOSFET. TTP105N06A

 

TTP105N06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTP105N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 298 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TTP105N06A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTP105N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:653K  cn wuxi unigroup
 ttb105n06a ttp105n06a.pdf pdf_icon

TTP105N06A

TTB105N06A,TTP105N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 6.1. Size:750K  cn wuxi unigroup
 ttb105n08a ttp105n08a.pdf pdf_icon

TTP105N06A

TTB105N08A,TTP105N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:448K  cn wuxi unigroup
 ttd100n04at ttp100n04at.pdf pdf_icon

TTP105N06A

TTD100N04AT, TTP100N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and

 9.2. Size:636K  cn wuxi unigroup
 ttp100n04at.pdf pdf_icon

TTP105N06A

TTP100N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 40V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TSG10N06AT , TSG12N06AT , TSG12N10AT , TSJ10N06AT , TSJ10N10AT , TSP15N06A , TSP15N10A , TTB105N06A , IRFB4227 , TTB105N08A , TTP105N08A , TTB115N08A , TTP115N08A , TTB115N08AA , TTP115N08AA , TTB118N08A , TTP118N08A .

 

 
Back to Top

 


 
.