TTP105N06A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTP105N06A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 298 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TTP105N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTP105N06A даташит

 ..1. Size:653K  cn wuxi unigroup
 ttb105n06a ttp105n06a.pdf pdf_icon

TTP105N06A

TTB105N06A,TTP105N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 6.1. Size:750K  cn wuxi unigroup
 ttb105n08a ttp105n08a.pdf pdf_icon

TTP105N06A

TTB105N08A,TTP105N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:448K  cn wuxi unigroup
 ttd100n04at ttp100n04at.pdf pdf_icon

TTP105N06A

TTD100N04AT, TTP100N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and

 9.2. Size:636K  cn wuxi unigroup
 ttp100n04at.pdf pdf_icon

TTP105N06A

TTP100N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 40V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TSG10N06AT, TSG12N06AT, TSG12N10AT, TSJ10N06AT, TSJ10N10AT, TSP15N06A, TSP15N10A, TTB105N06A, 10N60, TTB105N08A, TTP105N08A, TTB115N08A, TTP115N08A, TTB115N08AA, TTP115N08AA, TTB118N08A, TTP118N08A