TTB30P10AT Todos los transistores

 

TTB30P10AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTB30P10AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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TTB30P10AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:798K  cn wuxi unigroup
 ttb30p10at ttd30p10at ttp30p10at.pdf pdf_icon

TTB30P10AT

TTB30P10AT,TTD30P10AT,TTP30P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -100V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

Otros transistores... TTB118N08A , TTP118N08A , TTB135N68A , TTP135N68A , TTB145N06A , TTP145N06A , TTB145N08A , TTP145N08A , 2N7000 , TTD30P10AT , TTP30P10AT , TTB85N08A , TTP85N08A , TTB85N08AA , TTP85N08AA , TTB95N68A , TTD95N68A .

 

 
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