TTP30P10AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTP30P10AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: TO220

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TTP30P10AT datasheet

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TTP30P10AT

TTD30P10AT, TTP30P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Load Switches Battery Switch Device Marking and Package Information Device Package Marking TTP30P10AT TO-220 30P10AT TTD30P10AT TO

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TTP30P10AT

TTB30P10AT,TTD30P10AT,TTP30P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -100V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

Otros transistores... TTB135N68A, TTP135N68A, TTB145N06A, TTP145N06A, TTB145N08A, TTP145N08A, TTB30P10AT, TTD30P10AT, AO3401, TTB85N08A, TTP85N08A, TTB85N08AA, TTP85N08AA, TTB95N68A, TTD95N68A, TTP95N68A, TTD100N04AT