Справочник MOSFET. TTP30P10AT

 

TTP30P10AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTP30P10AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TTP30P10AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTP30P10AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  cn wuxi unigroup
 ttd30p10at ttp30p10at.pdf pdf_icon

TTP30P10AT

TTD30P10AT, TTP30P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Load Switches Battery Switch Device Marking and Package Information Device Package Marking TTP30P10AT TO-220 30P10AT TTD30P10AT TO

 ..2. Size:798K  cn wuxi unigroup
 ttb30p10at ttd30p10at ttp30p10at.pdf pdf_icon

TTP30P10AT

TTB30P10AT,TTD30P10AT,TTP30P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -100V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

Другие MOSFET... TTB135N68A , TTP135N68A , TTB145N06A , TTP145N06A , TTB145N08A , TTP145N08A , TTB30P10AT , TTD30P10AT , AO3400 , TTB85N08A , TTP85N08A , TTB85N08AA , TTP85N08AA , TTB95N68A , TTD95N68A , TTP95N68A , TTD100N04AT .

 

 
Back to Top

 


 
.