TTB85N08AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TTB85N08AA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 157 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 248 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de TTB85N08AA MOSFET
TTB85N08AA Datasheet (PDF)
ttb85n08aa ttp85n08aa.pdf

TTB85N08AA,TTP85N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
ttb85n08a ttp85n08a.pdf

TTB85N08A,TTP85N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... TTP145N06A , TTB145N08A , TTP145N08A , TTB30P10AT , TTD30P10AT , TTP30P10AT , TTB85N08A , TTP85N08A , 2SK3568 , TTP85N08AA , TTB95N68A , TTD95N68A , TTP95N68A , TTD100N04AT , TTP100N04AT , TTD120N03AT , TTP120N03AT .
History: BUK9506-75B | RTL020P02FRA
History: BUK9506-75B | RTL020P02FRA



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