TTB85N08AA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTB85N08AA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для TTB85N08AA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTB85N08AA даташит

 ..1. Size:834K  cn wuxi unigroup
 ttb85n08aa ttp85n08aa.pdf pdf_icon

TTB85N08AA

TTB85N08AA,TTP85N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 5.1. Size:672K  cn wuxi unigroup
 ttb85n08a ttp85n08a.pdf pdf_icon

TTB85N08AA

TTB85N08A,TTP85N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... TTP145N06A, TTB145N08A, TTP145N08A, TTB30P10AT, TTD30P10AT, TTP30P10AT, TTB85N08A, TTP85N08A, 4435, TTP85N08AA, TTB95N68A, TTD95N68A, TTP95N68A, TTD100N04AT, TTP100N04AT, TTD120N03AT, TTP120N03AT