TTP85N08AA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTP85N08AA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 157 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 248 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm

Encapsulados: TO220

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TTP85N08AA datasheet

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TTP85N08AA

TTB85N08AA,TTP85N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

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TTP85N08AA

TTB85N08A,TTP85N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TTB145N08A, TTP145N08A, TTB30P10AT, TTD30P10AT, TTP30P10AT, TTB85N08A, TTP85N08A, TTB85N08AA, SPP20N60C3, TTB95N68A, TTD95N68A, TTP95N68A, TTD100N04AT, TTP100N04AT, TTD120N03AT, TTP120N03AT, TTD120N04AT