TTP85N08AA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TTP85N08AA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для TTP85N08AA
TTP85N08AA Datasheet (PDF)
ttb85n08aa ttp85n08aa.pdf

TTB85N08AA,TTP85N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
ttb85n08a ttp85n08a.pdf

TTB85N08A,TTP85N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... TTB145N08A , TTP145N08A , TTB30P10AT , TTD30P10AT , TTP30P10AT , TTB85N08A , TTP85N08A , TTB85N08AA , AON7410 , TTB95N68A , TTD95N68A , TTP95N68A , TTD100N04AT , TTP100N04AT , TTD120N03AT , TTP120N03AT , TTD120N04AT .
History: H7N0608LD | CEB3060



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117