Справочник MOSFET. TTP85N08AA

 

TTP85N08AA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTP85N08AA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTP85N08AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:834K  cn wuxi unigroup
 ttb85n08aa ttp85n08aa.pdf pdf_icon

TTP85N08AA

TTB85N08AA,TTP85N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 5.1. Size:672K  cn wuxi unigroup
 ttb85n08a ttp85n08a.pdf pdf_icon

TTP85N08AA

TTB85N08A,TTP85N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... TTB145N08A , TTP145N08A , TTB30P10AT , TTD30P10AT , TTP30P10AT , TTB85N08A , TTP85N08A , TTB85N08AA , AON7410 , TTB95N68A , TTD95N68A , TTP95N68A , TTD100N04AT , TTP100N04AT , TTD120N03AT , TTP120N03AT , TTD120N04AT .

 

 
Back to Top

 


 
.