TTB95N68A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTB95N68A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 274 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO263

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TTB95N68A datasheet

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TTB95N68A

TTB95N68A,TTD95N68A,TTP95N68A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 68V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 68V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TTP145N08A, TTB30P10AT, TTD30P10AT, TTP30P10AT, TTB85N08A, TTP85N08A, TTB85N08AA, TTP85N08AA, SKD502T, TTD95N68A, TTP95N68A, TTD100N04AT, TTP100N04AT, TTD120N03AT, TTP120N03AT, TTD120N04AT, TTP120N04AT