TTB95N68A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TTB95N68A
Маркировка: 95N68A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 95 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
Время нарастания (tr): 94 ns
Выходная емкость (Cd): 274 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO263
TTB95N68A Datasheet (PDF)
..1. Size:527K cn wuxi unigroup
ttb95n68a ttd95n68a ttp95n68a.pdf
ttb95n68a ttd95n68a ttp95n68a.pdf
TTB95N68A,TTD95N68A,TTP95N68A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 68V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 68V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
