TTB95N68A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: TTB95N68A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 94 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 274 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам