TTP18P10AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TTP18P10AT
Código: 18P10AT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 113 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 70 nC
Tiempo de subida (tr): 73 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 102 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.096 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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TTP18P10AT Datasheet (PDF)
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TTD18P10AT, TTP18P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Load Switches Battery Switch Device Marking and Package Information Device Package Marking TTP18P10AT TO-220 18P10AT TTD18P10AT TO
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