Справочник MOSFET. TTP18P10AT

 

TTP18P10AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTP18P10AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TTP18P10AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTP18P10AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  cn wuxi unigroup
 ttd18p10at ttp18p10at.pdf pdf_icon

TTP18P10AT

TTD18P10AT, TTP18P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Load Switches Battery Switch Device Marking and Package Information Device Package Marking TTP18P10AT TO-220 18P10AT TTD18P10AT TO

Другие MOSFET... TTD120N03AT , TTP120N03AT , TTD120N04AT , TTP120N04AT , TTD135N68A , TTD160N03GT , TTP160N03GT , TTD18P10AT , 20N50 , TTD20N04AT , TTD30P03AT , TTD35N02AV , TTD40P03AT , TTD50P04AT , TTD60N03QT , TTD65N04AT , TTD70N04AT .

History: BUK7Y12-100E

 

 
Back to Top

 


 
.