TTD90P03AT Todos los transistores

 

TTD90P03AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTD90P03AT
   Código: 90P03AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 82 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 262 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 473 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de TTD90P03AT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TTD90P03AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  cn wuxi unigroup
 ttd90p03at.pdf pdf_icon

TTD90P03AT

TTD90P03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET Features Product Summary VDS -30V Trench Power Technology Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:450K  cn wuxi unigroup
 ttd90n03at ttp90n03at.pdf pdf_icon

TTD90P03AT

TTD90N03AT, TTP90N03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and In

Otros transistores... TTD50P04AT , TTD60N03QT , TTD65N04AT , TTD70N04AT , TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , 7N60 , TTG160N03AT , TTG160N03GT , TTG65N10A , TTG90P03ATC , TTJ12P03AT , TTK8205 , TTK8205A , TTP115N68A .

 

 
Back to Top

 


 
.