TTD90P03AT Todos los transistores

 

TTD90P03AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTD90P03AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 262 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 473 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET TTD90P03AT

 

TTD90P03AT Datasheet (PDF)

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TTD90P03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET Features Product Summary VDS -30V Trench Power Technology Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:450K  cn wuxi unigroup
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