Справочник MOSFET. TTD90P03AT

 

TTD90P03AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTD90P03AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 262 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 473 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TTD90P03AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD90P03AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  cn wuxi unigroup
 ttd90p03at.pdf pdf_icon

TTD90P03AT

TTD90P03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET Features Product Summary VDS -30V Trench Power Technology Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:450K  cn wuxi unigroup
 ttd90n03at ttp90n03at.pdf pdf_icon

TTD90P03AT

TTD90N03AT, TTP90N03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and In

Другие MOSFET... TTD50P04AT , TTD60N03QT , TTD65N04AT , TTD70N04AT , TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , 7N60 , TTG160N03AT , TTG160N03GT , TTG65N10A , TTG90P03ATC , TTJ12P03AT , TTK8205 , TTK8205A , TTP115N68A .

History: BLF7G24L-100 | BUK625R0-40C | PSMN057-200P | FQU2N100TU

 

 
Back to Top

 


 
.