TTG90P03ATC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TTG90P03ATC
   Código: 90P03AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 82 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 262 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 473 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

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TTG90P03ATC Datasheet (PDF)

..1. Size:551K cn wuxi unigroup
ttg90p03atc.pdf

TTG90P03ATC Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET Features Product Summary VDS -30V Trench Power Technology RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: AUIRL1404L

Liste

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