TTG90P03ATC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTG90P03ATC  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 262 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 473 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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TTG90P03ATC datasheet

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TTG90P03ATC

TTG90P03ATC Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET Features Product Summary VDS -30V Trench Power Technology RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TTP70N04AT, TTD85N03AT, TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT, TTG160N03AT, TTG160N03GT, TTG65N10A, K4145, TTJ12P03AT, TTK8205, TTK8205A, TTP115N68A, TTP88N08A, TTX2301A, TTX2302, TTX2302A