TTG90P03ATC Todos los transistores

 

TTG90P03ATC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTG90P03ATC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 262 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 473 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET TTG90P03ATC

 

Principales características: TTG90P03ATC

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TTG90P03ATC

TTG90P03ATC Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET Features Product Summary VDS -30V Trench Power Technology RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT , TTG160N03AT , TTG160N03GT , TTG65N10A , IRF2807 , TTJ12P03AT , TTK8205 , TTK8205A , TTP115N68A , TTP88N08A , TTX2301A , TTX2302 , TTX2302A .

 

 
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