TTG90P03ATC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TTG90P03ATC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 262 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 473 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TTG90P03ATC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTG90P03ATC даташит

 ..1. Size:551K  cn wuxi unigroup
 ttg90p03atc.pdf pdf_icon

TTG90P03ATC

TTG90P03ATC Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET Features Product Summary VDS -30V Trench Power Technology RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... TTP70N04AT, TTD85N03AT, TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT, TTG160N03AT, TTG160N03GT, TTG65N10A, K4145, TTJ12P03AT, TTK8205, TTK8205A, TTP115N68A, TTP88N08A, TTX2301A, TTX2302, TTX2302A