Справочник MOSFET. TTG90P03ATC

 

TTG90P03ATC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTG90P03ATC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 262 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 473 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для TTG90P03ATC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTG90P03ATC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:551K  cn wuxi unigroup
 ttg90p03atc.pdf pdf_icon

TTG90P03ATC

TTG90P03ATC Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET Features Product Summary VDS -30V Trench Power Technology RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT , TTG160N03AT , TTG160N03GT , TTG65N10A , IRFB31N20D , TTJ12P03AT , TTK8205 , TTK8205A , TTP115N68A , TTP88N08A , TTX2301A , TTX2302 , TTX2302A .

History: SCH1302 | IXTN600N04T2 | VBC6P3033 | HGD650N15SL | HGI170N10AL | TK30S06K3L

 

 
Back to Top

 


 
.