TTK8205 Todos los transistores

 

TTK8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTK8205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

TTK8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  cn wuxi unigroup
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TTK8205

TTK8205 Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 20V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Devi

 0.1. Size:407K  cn wuxi unigroup
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TTK8205

TTK8205A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET Features Product Summary VDS 20V Trench Power Technology Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: NCE0250D | WSF20P03 | IPI80CN10NG

 

 
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