TTK8205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TTK8205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
Аналог (замена) для TTK8205
TTK8205 Datasheet (PDF)
ttk8205.pdf

TTK8205 Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 20V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Devi
ttk8205a.pdf

TTK8205A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET Features Product Summary VDS 20V Trench Power Technology Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... TTD90N03AT , TTP90N03AT , TTD90P03AT , TTG160N03AT , TTG160N03GT , TTG65N10A , TTG90P03ATC , TTJ12P03AT , AON6380 , TTK8205A , TTP115N68A , TTP88N08A , TTX2301A , TTX2302 , TTX2302A , TTX2305A , TTX2312A .
History: ASDM30N65E-R | IXTN5N250 | DMT3006LFV-7 | OSG65R290FEF-NB | OSG60R069HF | RT3K22M | TK30A06J3A
History: ASDM30N65E-R | IXTN5N250 | DMT3006LFV-7 | OSG65R290FEF-NB | OSG60R069HF | RT3K22M | TK30A06J3A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement