TTK8205 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: TTK8205 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для TTK8205
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TTK8205 даташит
ttk8205.pdf
TTK8205 Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 20V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Devi
ttk8205a.pdf
TTK8205A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET Features Product Summary VDS 20V Trench Power Technology Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие IGBT... TTD90N03AT, TTP90N03AT, TTD90P03AT, TTG160N03AT, TTG160N03GT, TTG65N10A, TTG90P03ATC, TTJ12P03AT, IRF530, TTK8205A, TTP115N68A, TTP88N08A, TTX2301A, TTX2302, TTX2302A, TTX2305A, TTX2312A
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: VBE1101M | APT6040SVFR | VBE2309 | APT6029SFLLG | NDP5060L | AOB190A60L | NCE1230SP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement


