TTX2302 Todos los transistores

 

TTX2302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTX2302
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0235 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

TTX2302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  cn wuxi unigroup
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TTX2302

TTX2302Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company20V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and IndustrialDevice Marking a

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TTX2302

TTX2302A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 20V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 3.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 8.1. Size:712K  cn wuxi unigroup
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TTX2302

TTX2305A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS -20V Trench Power technology ID (at VGS =-10V) -4.5A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS =-10V)

 8.2. Size:728K  cn wuxi unigroup
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TTX2302

TTX2301A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -20V Low RDS(ON) ID (at VGS =-4.5V) -2.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

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History: SVSP14N60TD2 | IXTU2N80P

 

 
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