FDB8832F085 Todos los transistores

 

FDB8832F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB8832F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDB8832F085 Datasheet (PDF)

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FDB8832F085

September 2006FDB8832 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET30V, 80A, 2.1m FeaturesApplications Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 5V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(5) = 100nC at VGS = 5V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode ABS UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC Conver

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FDB8832F085

May 2010FDB8832_F085 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET30V, 80A, 2.1m FeaturesApplications Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 5V, ID = 80A 12V Automotive Load Control Typ Qg(5) = 100nC at VGS = 5V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode ABS UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC Convert

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FDB8832F085

isc N-Channel MOSFET Transistor FDB8832FEATURESDrain Current : I =34A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.9m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid d

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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