VBE1158N Todos los transistores

 

VBE1158N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBE1158N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.074(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de VBE1158N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBE1158N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:699K  cn vbsemi
 vbe1158n.pdf pdf_icon

VBE1158N

VBE1158Nwww.VBsemi.comN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.074 at VGS = 10 V 25.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.077 at VGS = 8 V 22.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONS

 9.1. Size:827K  cn vbsemi
 vbe1101m.pdf pdf_icon

VBE1158N

VBE1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATING

 9.2. Size:979K  cn vbsemi
 vbe1101n.pdf pdf_icon

VBE1158N

VBE1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 100 % Rg Tested0.0075 at VGS = 10 V85100 100 % UIS Tested0.0095 at VGS = 4.5 V75APPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC ConverterTO-252 D G G D S S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 9.3. Size:1248K  cn vbsemi
 vbe1104n.pdf pdf_icon

VBE1158N

VBE1104Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V40RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V37COMPLIANTDTO-252GG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... VBC7P2216 , VBC8338 , VBE1101M , VBE1101N , VBE1102N , VBE1104N , VBE1105 , VBE1106N , 5N50 , VBE1201K , VBE1202 , VBE1203M , VBE1206 , VBE1206N , VBE1302 , VBE1303 , VBE1307 .

History: CEB140N10 | H7N1004LS | OSG65R070HT3F | ME7636 | AON6926 | SI2305B | IPD06N03LBG

 

 
Back to Top

 


 
.