VBE1158N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBE1158N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.074(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de VBE1158N MOSFET
Principales características: VBE1158N
vbe1158n.pdf
VBE1158N www.VBsemi.com N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.074 at VGS = 10 V 25.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses 150 23 nC 0.077 at VGS = 8 V 22.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D APPLICATIONS
vbe1101m.pdf
VBE1101M www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 100 0.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATING
vbe1101n.pdf
VBE1101N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 100 % Rg Tested 0.0075 at VGS = 10 V 85 100 100 % UIS Tested 0.0095 at VGS = 4.5 V 75 APPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC Converter TO-252 D G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25
vbe1104n.pdf
VBE1104N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.030 at VGS = 10 V 40 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 37 COMPLIANT D TO-252 G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle
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History: VBE1104N
History: VBE1104N
Liste
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