Справочник MOSFET. VBE1158N

 

VBE1158N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBE1158N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBE1158N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE1158N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:699K  cn vbsemi
 vbe1158n.pdf pdf_icon

VBE1158N

VBE1158Nwww.VBsemi.comN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.074 at VGS = 10 V 25.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.077 at VGS = 8 V 22.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONS

 9.1. Size:827K  cn vbsemi
 vbe1101m.pdf pdf_icon

VBE1158N

VBE1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATING

 9.2. Size:979K  cn vbsemi
 vbe1101n.pdf pdf_icon

VBE1158N

VBE1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 100 % Rg Tested0.0075 at VGS = 10 V85100 100 % UIS Tested0.0095 at VGS = 4.5 V75APPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC ConverterTO-252 D G G D S S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 9.3. Size:1248K  cn vbsemi
 vbe1104n.pdf pdf_icon

VBE1158N

VBE1104Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V40RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V37COMPLIANTDTO-252GG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBC7P2216 , VBC8338 , VBE1101M , VBE1101N , VBE1102N , VBE1104N , VBE1105 , VBE1106N , 5N50 , VBE1201K , VBE1202 , VBE1203M , VBE1206 , VBE1206N , VBE1302 , VBE1303 , VBE1307 .

History: CHM4804JGP | CEM9936A | ME4972-G | PB606BA | P4506BD | SI7617DN | OSG65R070PT3F

 

 
Back to Top

 


 
.