VBE1206N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBE1206N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 96 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 34 nC
Tiempo de subida (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBE1206N
VBE1206N Datasheet (PDF)
vbe1206n.pdf
VBE1206Nwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATIN
vbe1206.pdf
VBE1206www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S)175 _C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)aD 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested 0.006 @ VGS = 4.5 V 6520200.008 @ VGS = 2.5 V 45DTO-252GDrain Connected to TabG D STop View SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Param
vbe1203m.pdf
VBE1203Mwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.245 at VGS = 10 V 10 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATIN
vbe1202.pdf
VBE1202www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0025 at VGS = 4.5 V 12020 92 nC0.0035 at VGS = 2.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFET
vbe1201k.pdf
VBE1201Kwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) 200 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 175 C Junction TemperatureQg (Max.) (nC) 13 PWM Optimized 100 % Rg TestedQgs (nC) 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECQgd (nC) 7.9Configuration SingleAPPLICATIONS Primary Side SwitchDDPAK(TO-252
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
