VBE1206N - аналоги и даташиты транзистора

 

VBE1206N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBE1206N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBE1206N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE1206N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:582K  cn vbsemi
 vbe1206n.pdf pdf_icon

VBE1206N

VBE1206Nwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 7.1. Size:447K  cn vbsemi
 vbe1206.pdf pdf_icon

VBE1206N

VBE1206www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S)175 _C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)aD 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested 0.006 @ VGS = 4.5 V 6520200.008 @ VGS = 2.5 V 45DTO-252GDrain Connected to TabG D STop View SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Param

 8.1. Size:514K  cn vbsemi
 vbe1203m.pdf pdf_icon

VBE1206N

VBE1203Mwww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.245 at VGS = 10 V 10 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 8.2. Size:534K  cn vbsemi
 vbe1202.pdf pdf_icon

VBE1206N

VBE1202www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0025 at VGS = 4.5 V 12020 92 nC0.0035 at VGS = 2.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBE1104N , VBE1105 , VBE1106N , VBE1158N , VBE1201K , VBE1202 , VBE1203M , VBE1206 , IRF740 , VBE1302 , VBE1303 , VBE1307 , VBE1310 , VBE1405 , VBE1410 , VBE1606 , VBE1615 .

 

 
Back to Top

 


 
.