STU320S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU320S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 32 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STU320S
STU320S Datasheet (PDF)
stu320s std320s.pdf
STU/D320SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.20 @ VGS=10V30V 30A TO-252 and TO-251 Package.29 @ VGS=4.5VESD Protected.DDGGSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(l-PAK)S
stu328s std328s.pdf
GreerrPPrPrProSTU/D328SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.4.9 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.58A30V7.2 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK
stu326s std326s.pdf
GrerrPPrPrProSTU/D326SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.6.3 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.52A30V9.5 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK
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