VBFB2412 Todos los transistores

 

VBFB2412 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBFB2412
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.010(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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VBFB2412 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  cn vbsemi
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VBFB2412

VBFB2412www.VBsemi.comP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.010 at VGS = - 10 V 55RoHS*- 40COMPLIANT0.014 at VGS = - 4.5 V 54TO-251SGG D SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit Unit

 9.1. Size:512K  cn vbsemi
vbfb2658.pdf pdf_icon

VBFB2412

VBFB2658www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ)Definition0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET- 60 260.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for Full Bri

 9.2. Size:637K  cn vbsemi
vbfb2102m.pdf pdf_icon

VBFB2412

VBFB2102Mwww.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.215 at VGS = - 10 V - 12 TrenchFET Power MOSFET- 100 110.234 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Switch DC/

 9.3. Size:862K  cn vbsemi
vbfb2610n.pdf pdf_icon

VBFB2412

VBFB2610Nwww.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.066 at VGS = - 10 V - 20APPLICATIONS- 60 40 nC at VGS = - 4.5 V - 180.080 Load SwitchTO-251SGDP-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)P

Otros transistores... VBFB1311 , VBFB1405 , VBFB1410 , VBFB1615 , VBFB1630 , VBFB165R02 , VBFB165R04 , VBFB2317 , IRF530 , VBFB2610N , VBFB2658 , VBI1101M , VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 .

History: STF20NM60D | VS3640DP | N0434N | BLS65R560-P | 2SK17 | DMTH8012LK3 | P0603BDG

 

 
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