VBFB2412 - описание и поиск аналогов

 

VBFB2412 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBFB2412
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.010(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для VBFB2412

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBFB2412 технические параметры

 ..1. Size:623K  cn vbsemi
vbfb2412.pdfpdf_icon

VBFB2412

VBFB2412 www.VBsemi.com P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Available 0.010 at VGS = - 10 V 55 RoHS* - 40 COMPLIANT 0.014 at VGS = - 4.5 V 54 TO-251 S G G D S D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit

 9.1. Size:512K  cn vbsemi
vbfb2658.pdfpdf_icon

VBFB2412

VBFB2658 www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ) Definition 0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET - 60 26 0.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS High Side Switch for Full Bri

 9.2. Size:637K  cn vbsemi
vbfb2102m.pdfpdf_icon

VBFB2412

VBFB2102M www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.215 at VGS = - 10 V - 12 TrenchFET Power MOSFET - 100 11 0.234 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Switch DC/

 9.3. Size:862K  cn vbsemi
vbfb2610n.pdfpdf_icon

VBFB2412

VBFB2610N www.VBsemi.com P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.066 at VGS = - 10 V - 20 APPLICATIONS - 60 40 nC at VGS = - 4.5 V - 18 0.080 Load Switch TO-251 S G D P-Channel MOSFET G D S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) P

Другие MOSFET... VBFB1311 , VBFB1405 , VBFB1410 , VBFB1615 , VBFB1630 , VBFB165R02 , VBFB165R04 , VBFB2317 , IRF1010E , VBFB2610N , VBFB2658 , VBI1101M , VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 .

History: BUZ908DP | BSC026N02KSG

 

 
Back to Top

 


 
.