VBFB2610N Todos los transistores

 

VBFB2610N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBFB2610N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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VBFB2610N PDF Specs

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VBFB2610N

VBFB2610N www.VBsemi.com P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.066 at VGS = - 10 V - 20 APPLICATIONS - 60 40 nC at VGS = - 4.5 V - 18 0.080 Load Switch TO-251 S G D P-Channel MOSFET G D S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) P... See More ⇒

 8.1. Size:512K  cn vbsemi
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VBFB2610N

VBFB2658 www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ) Definition 0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET - 60 26 0.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS High Side Switch for Full Bri... See More ⇒

 9.1. Size:623K  cn vbsemi
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VBFB2412 www.VBsemi.com P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Available 0.010 at VGS = - 10 V 55 RoHS* - 40 COMPLIANT 0.014 at VGS = - 4.5 V 54 TO-251 S G G D S D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit ... See More ⇒

 9.2. Size:637K  cn vbsemi
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VBFB2610N

VBFB2102M www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.215 at VGS = - 10 V - 12 TrenchFET Power MOSFET - 100 11 0.234 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Switch DC/... See More ⇒

Otros transistores... VBFB1405 , VBFB1410 , VBFB1615 , VBFB1630 , VBFB165R02 , VBFB165R04 , VBFB2317 , VBFB2412 , IRFB3607 , VBFB2658 , VBI1101M , VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M .

History: DHD100N03B13 | RU120N15R | VBFB2658 | VBFB165R04

 

 
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