VBFB2610N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBFB2610N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 typ Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBFB2610N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBFB2610N даташит

 ..1. Size:862K  cn vbsemi
 vbfb2610n.pdf pdf_icon

VBFB2610N

VBFB2610N www.VBsemi.com P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.066 at VGS = - 10 V - 20 APPLICATIONS - 60 40 nC at VGS = - 4.5 V - 18 0.080 Load Switch TO-251 S G D P-Channel MOSFET G D S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) P

 8.1. Size:512K  cn vbsemi
 vbfb2658.pdf pdf_icon

VBFB2610N

VBFB2658 www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ) Definition 0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET - 60 26 0.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS High Side Switch for Full Bri

 9.1. Size:623K  cn vbsemi
 vbfb2412.pdf pdf_icon

VBFB2610N

VBFB2412 www.VBsemi.com P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Available 0.010 at VGS = - 10 V 55 RoHS* - 40 COMPLIANT 0.014 at VGS = - 4.5 V 54 TO-251 S G G D S D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit

 9.2. Size:637K  cn vbsemi
 vbfb2102m.pdf pdf_icon

VBFB2610N

VBFB2102M www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.215 at VGS = - 10 V - 12 TrenchFET Power MOSFET - 100 11 0.234 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Switch DC/

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBFB1405, VBFB1410, VBFB1615, VBFB1630, VBFB165R02, VBFB165R04, VBFB2317, VBFB2412, AON7506, VBFB2658, VBI1101M, VBI1322, VBI1638, VBI1695, VBI2338, VBI2658, VBJ1101M