VBI1638 Todos los transistores

 

VBI1638 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBI1638
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.030(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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VBI1638 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  cn vbsemi
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VBI1638

VBI1638www.VBsemi.comN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.030 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETs600.036 at VGS = 4.5 V 6.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDGSG D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MA

 9.1. Size:438K  cn vbsemi
 vbi1695.pdf pdf_icon

VBI1638

VBI1695www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 4.5 V 7.1RoHS29 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise

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History: SVS14N60FJD2 | BLS70R180-W | P0780ATFS | FS16SM-6 | AP65SL600AR | HFB1N70S | EFC2K107NUZ

 

 
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