VBI1638 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBI1638
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.030(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT89
Аналог (замена) для VBI1638
VBI1638 Datasheet (PDF)
vbi1638.pdf

VBI1638www.VBsemi.comN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.030 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETs600.036 at VGS = 4.5 V 6.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDGSG D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MA
vbi1695.pdf

VBI1695www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 4.5 V 7.1RoHS29 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise
Другие MOSFET... VBFB165R02 , VBFB165R04 , VBFB2317 , VBFB2412 , VBFB2610N , VBFB2658 , VBI1101M , VBI1322 , IRFP450 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 , VBJ1638 , VBJ1695 .
History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF
History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet