VBJ1638 Todos los transistores

 

VBJ1638 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBJ1638
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de VBJ1638 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBJ1638 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:554K  cn vbsemi
 vbj1638.pdf pdf_icon

VBJ1638

VBJ1638www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.029 at VGS = 10 V 7.0 TrenchFET Power MOSFETs600.033 at VGS = 4.5 V 5.6 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET

 9.1. Size:506K  cn vbsemi
 vbj1695.pdf pdf_icon

VBJ1638

VBJ1695www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unles

Otros transistores... VBI1322 , VBI1638 , VBI1695 , VBI2338 , VBI2658 , VBJ1101M , VBJ1201K , VBJ1322 , 10N65 , VBJ1695 , VBJ2102M , VBJ2456 , VBJ2658 , VBK1270 , VBK162K , VBK2298 , VBK3215N .

History: BSO211P | AUIRF7640S2 | 2SK1662M | STL70N10F3 | IRFZ24L | QM3001V | NTMFS4837NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.