VBK162K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBK162K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 0.4 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 6 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT323
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBK162K
VBK162K Datasheet (PDF)
vbk162k.pdf
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VBK162Kwww.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition2 at VGS = 10 V60 300 Low On-Resistance: 2 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 nsSOT-323 Low Input and Output LeakageSC-70 (3-LEADS) TrenchFET
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