VBK162K Todos los transistores

 

VBK162K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBK162K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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VBK162K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:525K  cn vbsemi
 vbk162k.pdf pdf_icon

VBK162K

VBK162Kwww.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition2 at VGS = 10 V60 300 Low On-Resistance: 2 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 nsSOT-323 Low Input and Output LeakageSC-70 (3-LEADS) TrenchFET

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History: SVSP11N60SD2TR | AM30P10-80D | IXFV30N60P | IPA90R1K2C3 | SI9945BDY | 2N4119A | PMPB20UN

 

 
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