VBL1101M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBL1101M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.100(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBL1101M

VBL1101M Datasheet (PDF)

..1. Size:1009K cn vbsemi
vbl1101m.pdf

VBL1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.100 at VGS = 10 V10020COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXI

7.1. Size:1080K cn vbsemi
vbm1101n vbl1101n.pdf

VBM1101N/VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0085 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC850.0100 at VGS = 6 VTO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S Top ViewN-Ch

7.2. Size:890K cn vbsemi
vbl1101n.pdf

VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.010 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 4.5 V85D TO-263G G D S Top ViewS N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwis

8.1. Size:1796K cn vbsemi
vbl1104n.pdf

VBL1104Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V45RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V40COMPLIANTDD2PAK (TO-263)GDGSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle

8.2. Size:619K cn vbsemi
vbl1105.pdf

VBL1105www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) New Package with Low Thermal Resistance100 0.005 at VGS = 10 V 110a 100 % Rg TestedDD2PAK (TO-263)GD SGSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitDrain-Sour

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: