Справочник MOSFET. VBL1101M

 

VBL1101M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBL1101M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.100(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VBL1101M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBL1101M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1009K  cn vbsemi
 vbl1101m.pdf pdf_icon

VBL1101M

VBL1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.100 at VGS = 10 V10020COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXI

 7.1. Size:1080K  cn vbsemi
 vbm1101n vbl1101n.pdf pdf_icon

VBL1101M

VBM1101N/VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0085 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC850.0100 at VGS = 6 VTO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S Top ViewN-Ch

 7.2. Size:890K  cn vbsemi
 vbl1101n.pdf pdf_icon

VBL1101M

VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.010 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 4.5 V85D TO-263G G D S Top ViewS N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwis

 8.1. Size:1796K  cn vbsemi
 vbl1104n.pdf pdf_icon

VBL1101M

VBL1104Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V45RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V40COMPLIANTDD2PAK (TO-263)GDGSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBK1270 , VBK162K , VBK2298 , VBK3215N , VBK362K , VBK4223N , VBK5213N , VBK8238 , IRF2807 , VBL1101N , VBL1104N , VBL1105 , VBL1154N , VBL1203M , VBL1310 , VBL1405 , VBL1603 .

History: IRFS4228PBF | AFN1912

 

 
Back to Top

 


 
.