VBL1101M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBL1101M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28(max) nC
trⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.100(typ) Ohm
Тип корпуса: TO263
VBL1101M Datasheet (PDF)
vbl1101m.pdf
VBL1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.100 at VGS = 10 V10020COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXI
vbm1101n vbl1101n.pdf
VBM1101N/VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0085 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC850.0100 at VGS = 6 VTO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S Top ViewN-Ch
vbl1101n.pdf
VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.010 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 4.5 V85D TO-263G G D S Top ViewS N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwis
vbl1104n.pdf
VBL1104Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V45RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V40COMPLIANTDD2PAK (TO-263)GDGSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle
vbl1105.pdf
VBL1105www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) New Package with Low Thermal Resistance100 0.005 at VGS = 10 V 110a 100 % Rg TestedDD2PAK (TO-263)GD SGSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitDrain-Sour
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100