VBL1101N MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

VBL1101N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBL1101N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 665 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.010 typ Ohm

Encapsulados: TO263

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VBL1101N datasheet

..1. Size:1080K cn vbsemi
vbm1101n vbl1101n.pdf pdf_icon

VBM1101N/VBL1101N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.0085 at VGS = 10 V 100 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 85 0.0100 at VGS = 6 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S Top View N-Ch

..2. Size:890K cn vbsemi
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VBL1101N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.010 at VGS = 10 V 100 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.023 at VGS = 4.5 V 85 D TO-263 G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwis

7.1. Size:1009K cn vbsemi
vbl1101m.pdf pdf_icon

VBL1101M www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.100 at VGS = 10 V 100 20 COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters D D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXI

8.1. Size:1796K cn vbsemi
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VBL1104N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.030 at VGS = 10 V 45 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 40 COMPLIANT D D2PAK (TO-263) G D G S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle

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