VBL1101N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBL1101N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 105 nC
Время нарастания (tr): 90 ns
Выходная емкость (Cd): 665 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.010(typ) Ohm
Тип корпуса: TO263
VBL1101N Datasheet (PDF)
vbm1101n vbl1101n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBM1101N/VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0085 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC850.0100 at VGS = 6 VTO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S Top ViewN-Ch
vbl1101n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.010 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 4.5 V85D TO-263G G D S Top ViewS N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwis
vbl1101m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBL1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.100 at VGS = 10 V10020COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXI
vbl1104n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBL1104Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V45RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V40COMPLIANTDD2PAK (TO-263)GDGSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle
vbl1105.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBL1105www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) New Package with Low Thermal Resistance100 0.005 at VGS = 10 V 110a 100 % Rg TestedDD2PAK (TO-263)GD SGSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitDrain-Sour
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![VBL1101N](https://alltransistors.com/images/us.png)
![VBL1101N](https://alltransistors.com/images/es.png)
![VBL1101N](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C