VBL1154N Todos los transistores

 

VBL1154N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBL1154N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBL1154N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  cn vbsemi
 vbl1154n.pdf pdf_icon

VBL1154N

VBL1154Nwww.VBsemi.comN-Channel 150V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.035 at VGS = 10 V45150 New Low Thermal Resistance Package0.042 at VGS = 7.5 V42 PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-263GG D

 9.1. Size:1796K  cn vbsemi
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VBL1154N

VBL1104Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V45RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V40COMPLIANTDD2PAK (TO-263)GDGSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle

 9.2. Size:1080K  cn vbsemi
 vbm1101n vbl1101n.pdf pdf_icon

VBL1154N

VBM1101N/VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0085 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC850.0100 at VGS = 6 VTO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S Top ViewN-Ch

 9.3. Size:890K  cn vbsemi
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VBL1154N

VBL1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.010 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 4.5 V85D TO-263G G D S Top ViewS N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwis

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History: SGP100N025 | BSR202N | FHU50N06D

 

 
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