VBL1154N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBL1154N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 typ Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для VBL1154N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBL1154N даташит

 ..1. Size:901K  cn vbsemi
 vbl1154n.pdf pdf_icon

VBL1154N

VBL1154N www.VBsemi.com N-Channel 150V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.035 at VGS = 10 V 45 150 New Low Thermal Resistance Package 0.042 at VGS = 7.5 V 42 PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-263 G G D

 9.1. Size:1796K  cn vbsemi
 vbl1104n.pdf pdf_icon

VBL1154N

VBL1104N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.030 at VGS = 10 V 45 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 40 COMPLIANT D D2PAK (TO-263) G D G S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle

 9.2. Size:1080K  cn vbsemi
 vbm1101n vbl1101n.pdf pdf_icon

VBL1154N

VBM1101N/VBL1101N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.0085 at VGS = 10 V 100 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 85 0.0100 at VGS = 6 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S Top View N-Ch

 9.3. Size:890K  cn vbsemi
 vbl1101n.pdf pdf_icon

VBL1154N

VBL1101N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.010 at VGS = 10 V 100 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.023 at VGS = 4.5 V 85 D TO-263 G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwis

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBK362K, VBK4223N, VBK5213N, VBK8238, VBL1101M, VBL1101N, VBL1104N, VBL1105, P60NF06, VBL1203M, VBL1310, VBL1405, VBL1603, VBL1615, VBL1632, VBL165R04, VBL165R18