VBL1310 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBL1310

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 typ Ohm

Encapsulados: TO263

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VBL1310 datasheet

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VBL1310

VBL1310 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.012 at VGS = 10 V 50 30 25 nC 0.018 at VGS = 4.5 V 45 APPLICATIONS D OR-ing Server DC/DC D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSO

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VBL1310

VBM1307/VBL1307 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 30 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0075 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0095 ID (A) 70 Configuration Single Package TO-220AB/ TO-263 TO-220AB D TO-263 G S G D S N-Channel MOSFET G D S Top

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VBL1310

VBNC1303 / VBL1303 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0038 at VGS = 10 V 98 30 82 nC 0.0044 at VGS = 4.5 V 98 APPLICATIONS OR-ing Server DC/DC D I2PAK D2PAK (TO-262) (TO-263) G G D

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