VBL2658 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBL2658

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 typ Ohm

Encapsulados: TO263

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VBL2658 datasheet

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VBL2658

VBL2658 www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.048at VGS = - 10 V - 35 - 60 60 100 % Rg and UIS Tested 0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Power Switch Load

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VBL2658

VBL2625 www.VBsemi.com P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.0195 at VGS = - 10 V - 53 APPLICATIONS - 60 76 nC 0.0250 at VGS = - 4.5 V - 42 Load Switch S D2PAK (TO-263) G D G D S P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) Par

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VBL2658

VBL2610N www.VBsemi.com P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.064 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 12 0.077 at VGS = - 4.5 V - 28 Load Switch S D2PAK (TO-263) G G D S D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter S

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