VBL2658 Todos los transistores

 

VBL2658 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBL2658
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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VBL2658 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:484K  cn vbsemi
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VBL2658

VBL2658www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.048at VGS = - 10 V- 35- 60 60 100 % Rg and UIS Tested0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Power Switch Load

 9.1. Size:581K  cn vbsemi
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VBL2658

VBL2625www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.0195 at VGS = - 10 V - 53APPLICATIONS- 60 76 nC0.0250 at VGS = - 4.5 V - 42 Load SwitchSD2PAK (TO-263)GDGDSP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Par

 9.2. Size:412K  cn vbsemi
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VBL2658

VBL2610Nwww.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.064 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60120.077 at VGS = - 4.5 V - 28 Load SwitchSD2PAK(TO-263)GGDSDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter S

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History: HGP068N15S | ELM17408GA

 

 
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