VBM1310 Todos los transistores

 

VBM1310 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBM1310
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 525 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.010(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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VBM1310 Datasheet (PDF)

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VBM1310

VBM1310www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.010 at VGS = 10 V 5530 25 nC0.018 at VGS = 4.5 V 45DTO-220AB GSG D SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted

 9.1. Size:732K  cn vbsemi
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VBM1310

VBM1302www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0021 at VGS = 10 V 14030 92 nC0.0029 at VGS = 4.5 V 130APPLICATIONS OR-ingTO-220AB Server DC/DCDGSG D SN-Channel MOSFETTop View

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VBM1310

VBM1303www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0035 at VGS = 10 V 9830 82 nC0.0045 at VGS = 4.5 V 98APPLICATIONS OR-ingTO-220ABD Server DC/DCGSG D S N-Channel MOSFETTop ViewABS

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VBM1310

VBM1307/VBL1307www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0075 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0095ID (A) 70Configuration SinglePackage TO-220AB/ TO-263TO-220AB DTO-263GSG D SN-Channel MOSFETG D STop

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History: S10H12RN

 

 
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