VBM1310 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBM1310
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 525 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.010(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
VBM1310 Datasheet (PDF)
vbm1310.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBM1310www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.010 at VGS = 10 V 5530 25 nC0.018 at VGS = 4.5 V 45DTO-220AB GSG D SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted
vbm1302.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBM1302www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0021 at VGS = 10 V 14030 92 nC0.0029 at VGS = 4.5 V 130APPLICATIONS OR-ingTO-220AB Server DC/DCDGSG D SN-Channel MOSFETTop View
vbm1303.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBM1303www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.0035 at VGS = 10 V 9830 82 nC0.0045 at VGS = 4.5 V 98APPLICATIONS OR-ingTO-220ABD Server DC/DCGSG D S N-Channel MOSFETTop ViewABS
vbm1307 vbl1307.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBM1307/VBL1307www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0075 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0095ID (A) 70Configuration SinglePackage TO-220AB/ TO-263TO-220AB DTO-263GSG D SN-Channel MOSFETG D STop
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![VBM1310](https://alltransistors.com/images/us.png)
![VBM1310](https://alltransistors.com/images/es.png)
![VBM1310](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100