VBM1405 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBM1405
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 312 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 130 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 750 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0055(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBM1405
VBM1405 Datasheet (PDF)
vbm1405.pdf
VBM1405www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0055 at VGS = 10 V 100COMPLIANT 40 130 nC0.0070 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONS Synchronous RectificationTO-220AB Power SuppliesDGSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE
vbm1402.pdf
VBM1402www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0024 at VGS = 10 V 180COMPLIANT 40 120 nC0.0035 at VGS = 6.5 V 150APPLICATIONS Synchronous RectificationTO-220AB Power SuppliesDGSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUT
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