VBM1405 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBM1405
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 130 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBM1405

VBM1405 Datasheet (PDF)

..1. Size:596K cn vbsemi
vbm1405.pdf

VBM1405www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0055 at VGS = 10 V 100COMPLIANT 40 130 nC0.0070 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONS Synchronous RectificationTO-220AB Power SuppliesDGSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE

8.1. Size:635K cn vbsemi
vbm1402.pdf

VBM1402www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0024 at VGS = 10 V 180COMPLIANT 40 120 nC0.0035 at VGS = 6.5 V 150APPLICATIONS Synchronous RectificationTO-220AB Power SuppliesDGSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUT

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: